වත්මන් සිලිකන් (Silicon) තාක්ෂණයේ සීමාවන් ඉක්මවා යන ඊළඟ පරම්පරාවේ අර්ධ සන්නායක ද්රව්ය නිෂ්පාදනය කිරීමේදී පැවති ප්රධාන බාධකයක් ජය ගැනීමට චීන විද්යාඥයන් සමත් වී තිබේ. ඒ අනුව, වේෆර් මට්ටමේ (Wafer-scale) ද්විමාන (2D) අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදනය කිරීමේ ක්රියාවලිය පෙරට වඩා 1,000 ගුණයකින් වේගවත් කිරීමට ඔවුන්ට හැකි වී ඇත.
පර්යේෂකයන් විසින් සාම්ප්රදායික ඝන උපස්තර (Solid substrates) වෙනුවට දියර රන් සහ ටංස්ටන් (Liquid gold and tungsten) සහිත ද්විත්ව ස්ථර ව්යුහයක් භාවිතා කර ඇත. මෙමඟින් පරමාණුක මට්ටමේ තුනී පටල (Thin films) වර්ධනය වීමේදී පැවති භෞතික සීමාවන් ඉවත් වී ඇති අතර, මීට පෙර පැය 5ක් ගතවූ ක්රියාවලියක් දැන් විනාඩියකටත් අඩු කාලයකදී සිදු කිරීමට මඟ පෑදී තිබේ.
වත්මන් සිලිකන් ට්රාන්සිස්ටර ප්රමාණයෙන් කුඩා වීමේදී අධික ලෙස රත් වීම සහ කාර්යසාධනය සීමා වීම වැනි ගැටලුවලට මුහුණ දෙයි. විශේෂයෙන්ම AI සහ විශාල භාෂා ආකෘති (LLMs) සඳහා අවශ්ය වන අධිවේගී පරිගණක බලය ලබා දීමට පරමාණුක මට්ටමේ තුනී 2D අර්ධ සන්නායක කදිම විසඳුමකි. මින් පෙර මෙවැනි උසස් තත්ත්වයේ ‘p-type’ අර්ධ සන්නායක ද්රව්ය නිපදවීම ඉතා අපහසු කාර්යයක්ව පැවතිණි.
චීන පර්යේෂකයන් විසින් නිපදවන ලද මෙම ‘Tungsten silicon nitride’ පටලය ඉහළ යාන්ත්රික ශක්තියකින්, තාපය පිට කිරීමේ හැකියාවකින් සහ රසායනික ස්ථාවරත්වයකින් යුක්ත වේ. මෙය නැනෝමීටර් 5 සහ ඊට අඩු ප්රමාණයේ අනාගත චිප් (Chips) නිර්මාණය කිරීම සඳහා ඉතා යෝග්ය වේ.
පර්යේෂණාගාර මට්ටමින් ලබාගත් මෙම සාර්ථකත්වය කර්මාන්ත ශාලා තුළ මහා පරිමාණයෙන් ක්රියාත්මක කිරීමේදී ගැටලු කිහිපයක් පවතී. විශේෂයෙන්ම දියර රන් මත පදනම් වූ නිෂ්පාදන ක්රියාවලිය සඳහා අධික පිරිවැයක් දැරීමට සිදුවීම සහ දෝෂ රහිතව මහා පරිමාණයෙන් නිපදවීම මෙහි පවතින අභියෝගයන්ය.
සිලිකන් යුගයෙන් පසු ලෝකයේ අර්ධ සන්නායක වෙළෙඳපොළේ බලය තීරණය කරන තීරණාත්මක සාධකයක් ලෙස මෙම 2D අර්ධ සන්නායක තාක්ෂණය සැලකේ.
